[发明专利]一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法有效
| 申请号： | 202210233557.4 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114561337B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 黄秋凤;郑虹;李榕贞 | 申请（专利权）人： | 广州源井生物科技有限公司 |
| 主分类号： | C12N5/071 | 分类号： | C12N5/071;C12N5/09 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 梁永健;朱培祺 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法，涉及HepG2细胞克隆技术领域。单克隆增强培养基的组分包括RPMI‑1640培养基、DMEM培养基、胎牛血清、肝细胞生长因子和胰岛素样生长因子‑1；提高HepG2细胞克隆形成率的方法如下：将HepG2细胞依次进行原代培养和传代培养后，采用有限稀释法制备单克隆，且在培养至24～48h后，将基础培养基更换为单克隆增强培养基，继续培养形成单克隆。使用本发明的单克隆增强培养基，HepG2细胞的单克隆形成率显著提高，这一发明解决了常规培养条件下HepG2细胞的单克隆形成率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 hepg2 细胞 克隆 形成 单克隆 增强 培养基 方法 | ||
【主权项】：
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