[发明专利]基于二维磷化锗的可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器在审
| 申请号： | 202210226914.4 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114725764A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 肖静;高志刚;王聪;张晗;郭佳 | 申请（专利权）人： | 泰山学院;深圳瀚光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/067 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 陈均钦 |
| 地址： | 271000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维磷化锗的可饱和吸收体及其制备方法、光纤激光器，其中，制备方法，包括以下步骤：研磨磷化锗，并加入N‑甲基吡咯烷酮NMP溶剂；将磷化锗与NMP溶剂的混合浆液进行超声处理，得到磷化锗纳米片/NMP溶液；将磷化锗纳米片/NMP溶液进行离心处理，得到磷化锗纳米片，通过基于二维磷化锗的可饱和吸收体的制备方法能够使磷化锗的层数大大减少，可得到的磷化锗纳米片，磷化锗纳米片的二维尺寸足够小，具有强饱和吸收特性，相对于其它二维材料，磷化锗具有较低的饱和强度，磷化锗纳米片可以作为优秀的饱和吸收体，用于激光器中超短脉冲的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 磷化 饱和 吸收体 及其 制备 方法 光纤 激光器 | ||
【主权项】：
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