[发明专利]一种提高离子离化率的离子注入方法在审
| 申请号： | 202210215952.X | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114752909A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 王向红;黄婷婷;何鸣;张峻颖 | 申请（专利权）人： | 上海电子信息职业技术学院 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 朱海晓 |
| 地址： | 201400 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高离子离化率的离子注入方法，属于离子注入技术领域，本发明中阴极弧源组件会产生金属离子以及一些颗粒，其中金属离子在矩形线圈形成的磁场作用下会聚焦及加速，再由离子引出组件牵引通过离子出口，而其中的不带电的粒子沿其本身的速度方向向前移动，沉积在离子溅射壳体内壁上，提升离化效率；同时由离子引出组件形成正离子束，经过质量分析装置进一步地筛选出所需的离子，再由加速管进行加速导入聚焦系统将离子聚集成直径为数毫米的离子束，之后通过偏转扫描系统对工作靶室内存放的工件进行离子注入；另外，直筒方形状空腔的离子溅射壳体的体积大，路程短，沉积速率将大幅度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 离子 离化率 注入 方法 | ||
【主权项】：
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