[发明专利]蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件在审
| 申请号： | 202210211071.0 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114592191A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 康明伦 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李佳桁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件，该蚀刻液用于包含铜系和钼系金属膜的三层金属膜结构的铟镓锌氧化物半导体器件的蚀刻，包括占总重量15％～25％的过氧化氢、0.1％～3％的螯合剂、0.01％～2％的腐蚀抑制剂、0.01％～5％的蚀刻剂、0.05％～2％的PH调节剂、0.01％～2％的双氧水稳定剂和余量的水，PH值范围为2～5；本发明实施例提供的蚀刻液无氟、低毒、环境友好且低酸性，去残能力强，不会造成玻璃基板及铟镓锌氧化物半导体器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 铟镓锌 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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