[发明专利]SRAM故障处理系统及其动态地处理SRAM的故障的方法在审
| 申请号： | 202210203206.9 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN115237661A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 朴相洙 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F11/20;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;高雪 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及静态随机存取存储器(SRAM)故障处理系统及其动态地处理SRAM的故障的方法。SRAM动态故障处理系统使用循环冗余校验(CRC)动态地处理故障的方法包括：获得写入数据；确定写入地址；将写入数据存储在帧存储器的写入地址处，帧存储器由SRAM构成并包括彼此区分的真实地址区和备用地址区；响应于写入地址，存储通过对写入数据执行CRC计算而生成的写入循环冗余校验(CRC)；确定读取地址；从帧存储器的读取地址对读取数据进行读取；基于与读取地址和读取数据相对应的CRC余数W_CRC，确定是否发生CRC错误，并在发生CRC错误时生成错误标志；基于错误标志确定故障地址；以及基于故障地址的类型将故障地址映射到备用地址区的非故障备用地址之一。 | ||
| 搜索关键词： | sram 故障 处理 系统 及其 动态 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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