[发明专利]MoS2在审

专利信息
申请号: 202210183689.0 申请日: 2022-02-25
公开(公告)号: CN114534785A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 程清蓉;董博文;吴汉军;潘志权;周红 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: B01J31/06 分类号: B01J31/06;B01J31/22;C01B3/04;C02F1/30;C02F101/38
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 姜婷
地址: 430000 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于光催化剂技术领域,公开了一种MoS2@COF‑Ph复合材料及其制备方法和应用。所述MoS2@COF‑Ph复合材料的制备方法为:以三聚氯氰和对苯二胺为原料,水热制备COF‑Ph;以硫代乙酰胺和钼酸钠为硫源和钼源,与COF‑Ph混匀后进行水热反应。所得复合材料中,MoS2与COF‑Ph之间通过配位键形成异质结,为电子和空穴的迁移提供了转移通道,降低了光生电子‑空穴复合率,使得复合材料具有较高的光催化活性,而且该复合材料具有很好的稳定性,制备工艺简单、成本低,故其有很好的应用前景。
搜索关键词: mos base sub
【主权项】:
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