[发明专利]基于铁电晶体管的施密特触发器及多谐振荡器在审
| 申请号： | 202210142851.4 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116647211A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 任天令;赵瑞婷;鲁添;刘厚方;赵晓玥;邵明昊;杨轶;伍晓明 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03K3/3565 | 分类号： | H03K3/3565;H03K3/012 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 郭亮 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于铁电晶体管的施密特触发器及多谐振荡器，该触发器包括：构成CMOS反相器的第一元件和第二元件，两元件分别为n型铁电晶体管和p型晶体管，源极分别接地与VDD，或者两元件分别为p型铁电晶体管和n型晶体管，源极分别接VDD与地；两元件的栅极相连作为输入，漏极相连作为输出；或者，第一元件和第二元件构成伪NMOS反相器，其中，第一元件为n型铁电晶体管，第二元件为负载，第一元件通过负载连接至VDD端，第一元件的源极接地，栅极与漏极分别作为输入和输出。该触发器电路结构简单，仅仅通过两个元件便可实现施密特触发器功能，面积小，功耗低。同时减少制备加工工艺难度，减少加工成本，综合性能优越。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶体管 施密特触发器 多谐振荡器 | ||
【主权项】：
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