[发明专利]光罩组及晶圆标注方法有效
申请号: | 202210135132.X | 申请日: | 2022-02-15 |
公开(公告)号: | CN114185244B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 张弓玉帛;徐圣强;袁立春 | 申请(专利权)人: | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种光罩组及晶圆标注方法,该光罩组具有第一光罩和第二光罩,第一光罩具有多个第一晶粒图形区,第一晶粒图形区中设有第一标识,各个第一晶粒图形区的第一标识均相同,第二光罩设置有多个与第一光罩上的第一晶粒图形区一一对应的第二晶粒图形区,各个第二晶粒图形区均包括相同的身份标识区,身份标识区中设有与晶圆上各个曝光区域一一对应且互不相同的第二标识。利用第一光罩和第二光罩的先后曝光以及相应的光刻套刻对准偏差,能够为晶圆上每颗晶粒都标注上与之相配的曝光区域的身份标识或者晶粒自己的唯一身份标识,由此使得每一颗晶粒从晶圆上切割下来后仍然能被识别出其原先在晶圆的哪个曝光区域或者哪个位置坐标。 | ||
搜索关键词: | 光罩组 标注 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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