[发明专利]一种通过快速退火改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法有效
| 申请号： | 202210133874.9 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114464734B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 董江辉;王丽萍;姚桂花;张宝林 | 申请（专利权）人： | 桂林医学院附属医院;桂林理工大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人： | 许佳 |
| 地址： | 541002 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法，属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤：将氧化铈基忆阻器件在空气环境中，以370～430℃的温度快速退火处理1.5～5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 通过 快速 退火 改善 氧化 铈基忆阻器阻变 参数 散布 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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