[发明专利]一种晶体生长气氛的控制装置及其控制方法在审
| 申请号： | 202210131896.1 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114351245A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 黄建祥 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶体的生产技术领域，公开一种晶体生长气氛的控制装置及其控制方法。其中晶体生长气氛的控制装置包括：晶体生长组件，其内限定出反应腔；气压测量件，用于检测反应腔内的气压；气体控制组件，与反应腔连通，气体控制组件均包括用于设定通入反应腔的工艺气体的气体流量的气体流量限定件；抽气组件，与反应腔连通，抽气组件能够将反应腔内的气体向外抽出，以使反应腔内的气压位于预设气压范围内。本发明公开的晶体生长气氛的控制装置的抽气组件能够将反应腔内的气体向外抽出，使得气压测量件检测的反应腔内的气压位于预设气压范围内，提升了晶体的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 气氛 控制 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京青禾晶元半导体科技有限责任公司，未经北京青禾晶元半导体科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210131896.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种天然材质制作的美颜功能口罩的制作方法
- 下一篇：一种计算机软硬件保护装置
