[发明专利]磁场调控二次电池过渡金属基正极材料及界面层的应用和方法在审
| 申请号： | 202210100532.7 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114361628A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;孙洁;龚昊宸;侯仰龙 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01M10/44 | 分类号： | H01M10/44;H01M10/0525;H01M10/054;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/58;H01M10/42 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李丽萍 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种定磁场用于降低二次电池过渡金属基正极材料中过渡金属离子和活性离子的混排度、维持二次电池过渡金属基正极材料结构稳定、改变CEI膜组分、提高CEI膜致密性与均匀性的应用及一种磁场对二次电池过渡金属基正极材料及CEI膜的调控方法。在电池充电过程中引入定磁场，定磁场的磁力线与电池的正极夹角固定、通过调节磁场强度与磁场施加的期间，使得电池中活性物质得以充分利用，提高电池首次充放电过程库伦效率。本发明针对已有的过渡金属基正极二次电池体系，可实现高效、简单、成本低廉的调控过程，重复性高，可操作性强，减少电池不可逆容量的损失，提高电池整体的能量密度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 调控 二次 电池 过渡 金属 正极 材料 界面 应用 方法 | ||
【主权项】：
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