[发明专利]一种用于磷化铟晶体生产工艺中温场控制装置及方法在审
| 申请号： | 202210094550.9 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114561691A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 潘功寰 | 申请（专利权）人： | 苏州中砥半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 耿鹏 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于磷化铟晶体生产工艺中温场控制装置及方法，包括反应炉体、温场控制组件以及冷热交换组件，所述反应炉体底部设置有旋转机构，所述旋转机构上配合连接有埚杆，所述埚杆的顶部固定连接坩埚，所述旋转机构能够带动所述坩埚旋转，所述坩埚的埚口处设置有导流盖，所述导流盖上端设置有籽晶杆，所述籽晶杆的底端贯穿所述导流盖与所述坩埚相连通，通过温场控制流道将反应炉体形成不同梯度的温场，通过温场间隔环将反应炉体分隔成高温熔融区与低温结晶区，高温熔融区用于熔解原料，低温结晶区用于晶体提拉生长，并且温场的温度逐步增加，使得制备单晶体结晶速度更快、生长周期短、成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磷化 晶体 生产工艺 中温场 控制 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州中砥半导体材料有限公司，未经苏州中砥半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210094550.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
