[发明专利]一种声表面波器件电极结构及其制作方法在审
申请号: | 202210088875.6 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114553171A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 苗湘;兰则超;闫坤坤;黄歆 | 申请(专利权)人: | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/64;H03H3/08 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 郑雷;庄博强 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请涉及一种声表面波器件电极结构及其制作方法,其电极结构包括第一电极层、第二电极层和第三电极层;所述第一电极层镀覆于所述压电基底的一面;所述第二电极层镀覆于所述第一电极层远离所述压电基底的一面;所述第三电极层镀覆于所述第二电极层远离所述压电基底的一面;所述第一电极层和第三电极层为金属材料制成;所述第二电极层为半导体材料制成。当第二电极层镀覆于第一电极层上时,随着声表面波滤波器长时间使用,其产生的高温使得金属原子具有移动的趋势,但由于此时半导体分子较为稳定,能够阻碍金属原子在具有移动的趋势下不发生移动,进而在一定程度上提高了声表面波滤波器的功率耐受性。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面波 器件 电极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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