[发明专利]磁性斯格明子的磁场驱动方法在审
| 申请号： | 202210085599.8 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114496012A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 邢祥军 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黎扬鹏 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性斯格明子的磁场驱动方法，包括提供微纳磁体，向微纳磁体注入磁畴壁和斯格明子，向微纳磁体施加均匀磁场，其中均匀磁场具有垂直于微纳磁体表面的分量，通过均匀磁场驱动斯格明子与磁畴壁一起运动等步骤。本发明磁性斯格明子的磁场驱动方法，实现了通过均匀磁场驱动斯格明子，无需依赖自旋波、热梯度或磁场梯度驱动，实现了与现有技术不同的驱动方式，无需通过复杂的过程构建温度梯度分布环境，可以使用更简单的器件结构实现对磁性斯格明子的均匀磁场驱动。对微纳磁体中的磁畴壁和斯格明子的类型不作限制，既适用于奈尔型磁畴壁/斯格明子，又适用于布洛赫型磁畴壁/斯格明子，应用范围广。本发明广泛应用于磁器件技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 明子 磁场 驱动 方法 | ||
【主权项】：
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