[发明专利]一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法在审
| 申请号： | 202210084459.9 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114464444A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 朱啸航;达明花;章兆能;陈彪;马瑜琳;付松 | 申请（专利权）人： | 浙江英洛华磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 林君勇 |
| 地址： | 322118 浙江省金华市东*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种提高R‑T‑B磁体扩散性能的晶界扩散方法：在R‑T‑B磁体基体表面覆盖扩散源，所述扩散源为重稀土，扩散源的质量为磁体基体质量的0.2％～4％；将覆盖有扩散源的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在800℃～1000℃，扩散时间1h～48h，在扩散的前1～3h内，调节绝对真空度在1.0*10 |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 磁体 扩散 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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