[发明专利]一种14T抗辐照SRAM存储单元电路在审
| 申请号： | 202210068745.6 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114496021A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 郝礼才;刘新宇;彭春雨;赵强;卢文娟;高珊;蔺智挺;吴秀龙;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/411 | 分类号： | G11C11/411;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;李闯 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元电路，包括8个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管；PMOS晶体管P5和NMOS晶体管N3构成第一个反向器，PMOS晶体管P6和NMOS晶体管N4构成第二个反向器，这两个反向器交叉耦合；N1与N2对内部存储节点QB与Q进行加固，Q与QB全部由NMOS晶体管包围，这构成了极性加固结构；外围节点S0与S1由P1和P2交叉耦合，N5与N6作为下拉管；QB与Q通过N7与N8连接到BLB和BL，N7的栅极和N8的栅极均与字线WL电连接。本发明可以提高单元抗单粒子翻转能力，能够抵抗所有的单节点翻转，还可以抵抗外围存储双节点翻转，而且单元的临界电荷相对较高，单元更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 14 辐照 sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学，未经安徽大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210068745.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
