[发明专利]一种高次模抑制的太赫兹波导探针过渡结构有效
申请号: | 202210063543.2 | 申请日: | 2022-01-20 |
公开(公告)号: | CN114497950B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 张勇;魏浩淼;李祥;陈阳 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P5/107 | 分类号: | H01P5/107;H01P3/08 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邓黎 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种高次模抑制的太赫兹波导探针过渡结构,属于太赫兹单片技术领域,包括太赫兹减高波导、衬底、屏蔽腔、E面微带探针结构和多个架空结构,所述架空结构为平行于太赫兹减高波导信号传输方向的长条形金属,位于衬底和E面微带探针结构之间,以支撑E面探针和微带线。本发明通过将E面微带探针结构置于架空结构上,一方面形成类悬置微带结构,降低传输损耗;另一方面多个架空结构为次高模式提供新的周期性边界条件,即在架空结构的两端产生电场尖峰,抑制高次模的传输,尤其适用于太赫兹肖特基管单片电路中,结构简单、易于实现,且与现有太赫兹单片工艺兼容。 | ||
搜索关键词: | 一种 高次模 抑制 赫兹 波导 探针 过渡 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210063543.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种陶瓷板生产设备
- 下一篇:一种可移开式开关柜断路器电动手车的智能控制装置