[发明专利]一种高次模抑制的太赫兹波导探针过渡结构有效

专利信息
申请号: 202210063543.2 申请日: 2022-01-20
公开(公告)号: CN114497950B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 张勇;魏浩淼;李祥;陈阳 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P5/107 分类号: H01P5/107;H01P3/08
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 邓黎
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种高次模抑制的太赫兹波导探针过渡结构,属于太赫兹单片技术领域,包括太赫兹减高波导、衬底、屏蔽腔、E面微带探针结构和多个架空结构,所述架空结构为平行于太赫兹减高波导信号传输方向的长条形金属,位于衬底和E面微带探针结构之间,以支撑E面探针和微带线。本发明通过将E面微带探针结构置于架空结构上,一方面形成类悬置微带结构,降低传输损耗;另一方面多个架空结构为次高模式提供新的周期性边界条件,即在架空结构的两端产生电场尖峰,抑制高次模的传输,尤其适用于太赫兹肖特基管单片电路中,结构简单、易于实现,且与现有太赫兹单片工艺兼容。
搜索关键词: 一种 高次模 抑制 赫兹 波导 探针 过渡 结构
【主权项】:
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