[发明专利]磁传感器在审

专利信息
申请号: 202210048800.5 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN114814672A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 高桥宏和;牧野健三 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/06 分类号: G01R33/06
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的磁传感器具备MR元件。MR元件包含自由层。自由层具有在一个方向上较长的形状的第一面、和配置在与第一面为相反侧的第二面,并且具有作为与第一面垂直的方向的尺寸的膜厚。第一面具有位于第一面的短边方向的两端的第一端部以及第二端部。在任意的截面中,第一端部处的膜厚比第一端部与第二端部之间的第一面上的规定的点处的膜厚小。
搜索关键词: 传感器
【主权项】:
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