[发明专利]一种降低死区损耗的GaN驱动器

摘要

本发明属于宽禁带半导体功率器件驱动技术领域，具体为一种降低死区损耗的GaN驱动器。该驱动器利用高K介质功率器件能够根据不同控制信号切换至相应工作模式，使其适用各种不同电压等级的驱动中这一特点，基于高K介质功率器件有针对性的设计出对应的电路结构，来实现的GaN驱动优化。在两个死区时间内，本发明中的GaN管栅极电压始终钳位在一个固定电压，且该固定电压低于GaN功率管正向导通的阈值电压，即使低侧GaN管的漏极电压被抬高也不会使GaN功率管正向导通，从而显著减小死区时间内源漏之间的压降，无需通过减少死区时间即可实现降压DC‑DC应用中的死区损耗降低。