[发明专利]一种GaN产品上ESD现场管控方法有效

专利信息
申请号: 202210019131.9 申请日: 2022-01-10
公开(公告)号: CN114418206B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 刘方标;李德朋;陈勇;舒小兵;饶锡林;易炳川;黄乙为 申请(专利权)人: 广东气派科技有限公司
主分类号: G06Q10/04 分类号: G06Q10/04;G06Q10/0639;G06Q10/063
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 朱健
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种GaN产品上ESD现场管控方法,包括:获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响;基于所述第一静电影响,重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境,并优化所述切割分离旧流程;获取基于优化后得到的切割分离新流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第二静电影响,并基于所述第二静电影响,对ESD现场管控作业进行评估,本发明实现了在GaN产品与UV膜分离过程中,有效控制UV膜产生的静电对GaN产品产生冲击,进而提升GaN产品量产良率。
搜索关键词: 一种 gan 产品 esd 现场 方法
【主权项】:
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