[发明专利]一种低失配高精度基准电压源有效
| 申请号： | 202210003038.9 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114356019B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 彭析竹;肖学超;唐鹤 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于带隙基准源技术领域，具体涉及一种低失配高精度基准电压源。本发明最大的创新点是将晶体管Q1和Q2的基极相连，并且Q1基极与集电极相连构成BJT电流镜，基极同时与电阻R2相连，这样不仅将PTAT电流I3精确镜像到I1，而且还得到了一个CTAT电流I2，两者结合得到一个零温度系数电流。因为在电流很小时，BJT电流镜的失配远小于MOS电流镜，因此可以在较低的电流下实现低失配，与传统结构相比有效地降低了基准源的失配和功耗。该发明将晶体管Q2和Q3的基极相连，同时Q2发射极与电阻R3相连，所以电阻R3上的压降精确地等于Q2和Q3的Vbe之差，产生一个高精度的PTAT电流I3，因此与传统结构相比，降低了运算放大器OP1的要求，而且极大地提高了带隙基准源的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失配 高精度 基准 电压 | ||
【主权项】：
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