[发明专利]用于蚀刻光刻掩模的方法与设备在审
| 申请号： | 202180057024.9 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN116057468A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | F·涂;H·施奈德;M·鲍尔;P·斯皮斯;M·鲁姆勒;C·F·赫尔曼斯 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/74 | 分类号： | G03F1/74 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于光刻掩模(100)、特别是用于非透射式EUV光刻掩模的粒子束诱导蚀刻的方法具有以下步骤：a)在工艺气体环境(ATM)中提供(S1)光刻掩模(100)，b)将聚焦粒子束(110)发射(S2)到光刻掩模(100)上的目标位置(ZP)上，c)供应(S3)至少一个第一气体成分(GK1)至工艺气体环境(ATM)中的目标位置(ZP)，其中第一气体成分(GK1)可通过活化转化为反应形式，其中反应形式与光刻掩模(100)的材料反应以形成挥发性化合物，以及d)供应(S4)至少一个第二气体成分(GK2)至工艺气体环境(ATM)中的目标位置(ZP)，其中在预定工艺条件下暴露于粒子束(100)的第二气体成分(GK2)形成沉积物，其包含硅与氧、氮和/或碳的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 光刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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