[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法

摘要

本发明的目的在于，提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构：在基板(1)的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜(2)、第1硬掩模膜(3)、第2硬掩模膜(4)，其中，图案形成用薄膜含有过渡金属，第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，第2硬掩模膜含有过渡金属，第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小，第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接。