[实用新型]一种单纵模F-P激光器的沟槽结构有效
| 申请号： | 202122326283.7 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN215896963U | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 姚中辉;张子旸;陈红梅;蒋成;王洪培 | 申请（专利权）人： | 青岛翼晨镭硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/24;H01S5/22 |
| 代理公司： | 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 | 代理人： | 蒋遥明 |
| 地址： | 266000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种单纵模F‑P激光器的沟槽结构，包括基片以及脊型波导，所述脊型波导位于所述基片的顶部，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置。沟槽位于基片中，能够在基片各层的外延生长过程中采用紫外光刻机光刻形成沟槽，相较于直接在脊型波导上刻蚀，无需增加刻蚀深度，简化了工艺而且提高了成品率；而且掩埋结构的沟槽制备在更加接近有源区的位置，极大的提高了耦合效率，有利于实现更优异的选模特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单纵模 激光器 沟槽 结构 | ||
【主权项】：
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