[实用新型]一种低场单边磁体结构有效

专利信息
申请号: 202121957766.0 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN216133727U 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 张靖漓;刘争红;许石罗;刘杰;贺鹤勇 申请(专利权)人: 浙江波通智能科技有限公司
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02
代理公司: 天津垠坤知识产权代理有限公司 12248 代理人: 王忠玮;赵玉琴
地址: 313000 浙江省湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种低场单边磁体结构,包括横板,所述横板的顶部设置有第一磁板,所述横板顶部的两侧均开设有通孔,所述通孔的内腔设置有限位板,所述限位板的顶部与第一磁板的底部固定连接,所述限位板的表面开设有限定槽,所述横板底部的两侧均固定连接有支板,所述支板的表面开设有限定板。本实用新型通过横板、第一磁板、通孔、限位板、限定槽、支板、限定板、移动板、弹簧、第二磁板、插槽、插板和第三磁板的配合,实现了便于拆装的目的,有效避免给使用者对低场单边磁体结构进行更换带来麻烦,提高了使用者对低场单边磁体结构的体验感,满足当今市场的需求,提高了低场单边磁体结构的实用性和使用性。
搜索关键词: 一种 单边 磁体 结构
【主权项】:
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