[实用新型]一种硬掩模有效
申请号: | 202121775311.7 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN215416266U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 杨晖;周凯;马亮亮;尤兵;陆瑞;王念慈 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硬掩模,包括衬底和图形设置层,衬底的表面形成有第一绝缘层,衬底和第一绝缘层上形成有贯穿衬底和第一绝缘层的第一图形线孔,图形设置层形成于第一绝缘层的远离所述衬底的表面上,且图形设置层上形成有贯穿的第二图形线孔,第二图形线孔与第一图形线孔连通,第二图形线孔的侧壁上形成有线宽限制层,第二图形线孔内的线宽限制层限定目标图形的线宽。线宽限制层,能够缩小第二图形线孔的线宽,在采用光刻机光刻时,能够缩小光刻图形的线宽,从而满足芯片设计的需要,摆脱对先进的光刻机的依赖,节省大量设备成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 硬掩模 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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