[实用新型]一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件有效
申请号: | 202121727643.8 | 申请日: | 2021-07-27 |
公开(公告)号: | CN215579001U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 伍晓荣;黄茜 | 申请(专利权)人: | 成都迈可维微波电子有限公司 |
主分类号: | H01P1/36 | 分类号: | H01P1/36;H01P1/38 |
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地址: | 610093 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,主要解决现有的环行隔离组件,其功率容量较低,高功率下插损较大,不能满足高功率微波组件的应用要求的问题。该一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件包括腔体,腔体内卡装有两个第一旋磁铁氧体基片和射频负载,第一旋磁铁氧体基片上方的腔体上卡装有具有第一凹槽的第一聚四氟乙烯介质套,第一聚四氟乙烯介质套上装配有聚四氟乙烯塑封中心导体,第一聚四氟乙烯介质套顶部具有两个第二凹槽,第二凹槽内分别卡接有第二旋磁铁氧体基片,第二旋磁铁氧体基片上卡接有第二聚四氟乙烯介质套。通过上述方案,本实用新型达到了高功率低插损的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 低插损 介质 加载 环行 隔离 组件 | ||
【主权项】:
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