[实用新型]一种半导体器件参数测试装置有效
| 申请号： | 202121568995.3 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN215813162U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 易先军;彭洪驰;梁音裔;周锐 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 陈晓斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件参数测试装置，包括微控制器、多路DA转换电路、功率放大电路、倍压电路、恒流电路、多路继电器线圈驱动电路、第一继电器KA1、第二继电器KA2、第三继电器KA3、第四继电器KA4、第五继电器KA5、限流电阻R1、第一取样电阻R2、第二取样电阻R3、第三取样电阻R4、第一取样电路、第二取样电路、第三取样电路、第四取样电路、多路AD转换电路；本实用新型将三极管以及二极管参数测量方案融合在一个系统之中；通过改变各个继电器线圈的通断控制相应继电开关的状态使得系统处于不同状态即可测量不同的参数，测量精度高，且在测量不同参数时共用电路结构，节约了硬件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 参数 测试 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学，未经武汉工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121568995.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
