[实用新型]一种差分二极管MOS电流采样电路有效

专利信息
申请号: 202120290575.7 申请日: 2021-02-02
公开(公告)号: CN216310101U 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 罗泽伟;赖允能 申请(专利权)人: 杭州瑞阳微电子有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 杭州知见专利代理有限公司 33295 代理人: 卢金元
地址: 310030 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种差分二极管MOS电流采样电路,其包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R3和运放IC1A;MOS管Q1的栅极连接导通信号VG,漏极连接负载的负极,源极接地;二极管D1的负极连接MOS管Q1的漏极,正极连接第一恒流源的输出端;二极管D2的负极连接MOS管Q1的源极,正极连接第二恒流源的输出端。二极管D1和D2型号相同并且封装在一起,为小寄生电容、高反向耐压的肖特基二极管。当二极管温度升高时,二极管D1正极电压和二极管D2正极电压同时下降,他们的差值不变,这个差值通过差分单端运放IC1A转换成对地单端电压,从而获得准确的采样值。
搜索关键词: 种差 二极管 mos 电流 采样 电路
【主权项】:
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