[发明专利]一种红外吸收层及应用其的红外热电堆探测器、制作方法在审
| 申请号： | 202111672941.6 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114152345A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 宏宇;武斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12;H01L35/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明区凤凰*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外吸收层及应用其的红外热电堆探测器、制作方法，包括钨层、第一氮化硅层、第一二氧化硅层和第二氮化硅层，所述钨层、第一氮化硅层、第一二氧化硅层和第二氮化硅层依次设置。本发明使用钨、氮化硅、二氧化硅材料构红外吸收层，引入CMOS常用材料钨，作为红外吸收层的组成部分，有效提高了硅复合膜结构的红外吸收效率，同时降低了同等吸收效率下红外吸收层的厚度与质量，钨通常作为CMOS工艺中通孔连接材料，可在CMOS工艺中完成集成电路的制备时，同时完成红外吸收层的制作，简化了红外探测器的制备流程，由于提高了红外吸收效率，红外探测器可在同等性能下缩小尺寸，进而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 吸收 应用 热电 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
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