[发明专利]一种高抗污性MXene-ERHG电化学传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111669549.6 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114371200A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 张艳;章路;李辰星;李玲;韩静萱;黄文蔚;周浃燚 申请(专利权)人: 上海工程技术大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 刘燕武
地址: 201620 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高抗污性MXene‑ERHG电化学传感器及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:(1)采用液体刻蚀法制备Ti3AlC2MXene;(2)采用H2O2刻蚀法制备多孔氧化石墨溶液(HGO);(3)将MXene与HGO超声混合均匀得到MXene‑HGO;(4)将步骤(3)得到的溶液滴涂在预处理的GCE上,得到MXene‑HGO/GCE,抽干备用;(5)将步骤(4)得到的MXene‑HGO/GCE在PBS溶液中,采用循环伏安法(CV)进行电化学还原,得到MXene‑ERHG/GCE。制备的MXene‑ERHG传感器有望作为抗污基底增强和稳定电化学信号。与现有技术相比,本发明制备的MXene‑ERHG传感器有望作为抗污基底增强和稳定电化学信号。
搜索关键词: 一种 高抗污性 mxene erhg 电化学传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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