[发明专利]一种原子级可调二维MoSSe纳米片及其制备和应用在审
| 申请号： | 202111664554.8 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114314527A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 熊小山;张峻;陈超 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C02F1/30;B01J27/057;B01J35/08;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱亚冠 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种原子级可调二维MoSSe纳米片及其制备和应用。本发明方法将(NH |
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| 搜索关键词： | 一种 原子 可调 二维 mosse 纳米 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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