[发明专利]锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉有效
| 申请号： | 202111656465.9 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114318510B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 程鹏;程波;陈元瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡晶名光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/40;C30B28/10;C30B33/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 郭慧 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉，其可降低锑化铟晶体应力，该方法基于晶体生长炉实现，晶体生长炉包括炉体、设置于炉体内的坩埚、位于坩埚上方的热屏，坩埚内盛装有锑化铟多晶原料，热屏内部设置有电磁感应加热线圈，电磁感应加热线圈套装于锑化铟晶体的外周且与锑化铟晶体的局部间隔对应；使用晶体生长炉并基于切克劳斯基法进行锑化铟晶体生长，锑化铟晶体生长时依次穿过热屏的屏口、电磁感应加热线圈，通过电磁感应加热线圈对锑化铟晶体进行周期性加热。 | ||
| 搜索关键词： | 锑化铟 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡晶名光电科技有限公司，未经无锡晶名光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111656465.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种获得抗原特异性T细胞的方法
- 下一篇：空泡内部介质参数的测量方法
