[发明专利]一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法

摘要

本发明涉及真空微电子器件的技术领域，更具体地，涉及一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法，底部阴极电极条平行排布于衬底顶部，底部栅极电极条平行排布于第一绝缘层顶部，实现底部阴极电极条和底部栅极电极条的分层独立布线，且底部阴极电极条与底部栅极电极条垂直排布，顶部阴极电极通过第一刻蚀通孔与底部阴极电极条相连，顶部栅极电极通过第二刻蚀通孔与底部栅极电极条相连，实现器件可行列寻址的电子发射，本发明的可寻址的纳米冷阴极电子源阵列，实现每一行顶部栅极电极的并联，每一个顶部栅极电极的正常工作不受其他顶部栅极电极的影响，提高器件在高压大电流下的工作可靠性。