[发明专利]光刻工艺中用于降低光刻胶膜厚的方法在审
| 申请号： | 202111562832.9 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114236968A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 熊丹妮;盛况;任娜;王珩宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 高明翠 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了光刻工艺中用于降低光刻胶膜厚的方法，包含将晶圆放置于载台上并固定，电机控制载台旋转带动所述晶圆进行一定速度的旋转，同时EBR喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下喷EBR，液量达到设计量之后，EBR喷嘴移开晶圆表面，此时载台速度降低至低速旋转，且滴胶喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下滴胶，胶量达到设计值后，载台加速到高速旋转完成胶量均匀分布后降速至静止，完成匀胶过程。本工艺方法能解决因机台最高转速限制导致膜厚厚度不能降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 用于 降低 胶膜 方法 | ||
【主权项】：
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