[发明专利]一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法在审
| 申请号： | 202111530294.5 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114414971A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 汪波;马林东;李珍;刘伟鑫;江芸;孔泽斌;刘建设;祝伟明;王昆黍 | 申请（专利权）人： | 上海精密计量测试研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N23/04;G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 唐敏 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量F |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 图像传感器 电流 定量 质子 电离 损伤 方法 | ||
【主权项】：
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