[发明专利]一种快速写入的抗单粒子翻转SRAM单元电路在审
| 申请号： | 202111519523.3 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114758698A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张德明;罗丁一;张凯丽;陈思宇;郭志鹏;宋明阳;王佑;邓尔雅;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | G11C11/411 | 分类号： | G11C11/411;G11C11/413 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 苗娟 |
| 地址： | 230013 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的一种快速写入的抗单粒子翻转SRAM单元电路，包括八个NMOS晶体管和六个PMOS晶体管，依次记为N1～N8和P1～P6，对于存储节点Q和QB，PMOS晶体管P1和P2作为上拉管，NMOS晶体管N3和N4由冗余节点S0和S1控制加固，NMOS晶体管N1和N2交叉耦合作为下拉管；对于冗余节点S0和S1，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合作为上拉管，NMOS晶体管N5和N6作为下拉管，并由存储节点Q和QB控制加固。存储节点Q和QB通过NMOS晶体管N7和N8连接两条位线BL和BLB，并通过字线WL控制NMOS晶体管N7和N8的通断。存储节点Q和QB完全由NMOS晶体管包围，这种结构被称为极性加固结构。本发明的PMOS晶体管P5和P6通过存储节点Q和QB控制冗余节点S0和S1所在支路的通断，提高冗余节点的下拉能力，写入速度更快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 写入 粒子 翻转 sram 单元 电路 | ||
【主权项】：
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