[发明专利]一种实时动态无损测试储层zeta电位的方法有效
| 申请号： | 202111519317.2 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114509486B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 程志林;张文通;高辉;王琛;李腾;窦亮彬 | 申请（专利权）人： | 西安石油大学 |
| 主分类号： | G01N27/447 | 分类号： | G01N27/447 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
一种实时动态无损测试储层zeta电位的方法，清洁处理二氧化硅半球样品，放置二氧化硅样品进入样品池；启动二次谐波光谱设备，并开始进行波数和能量检查；首先测试二氧化硅半球单独存在下去离子水和目标溶液的二次谐波光谱信号强度；放置储层样品进入样品池，获取总体样品存在下的信号强度：测量的总体样品信号强度减去二氧化硅样品强度得到储层的二次谐波样品强度；二次谐波信号强度归一化处理；进行储层二次谐波的pH滴定实验，获取储层等电点(pzc)性质，依次确定二阶磁化率的大小χ |
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| 搜索关键词： | 一种 实时 动态 无损 测试 zeta 电位 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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