[发明专利]高精度预测甚低频电波场强随时间变化的方法在审

专利信息
申请号: 202111507255.3 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114397705A 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 蒲玉蓉;吕婷;席晓莉 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: G01V3/38 分类号: G01V3/38
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 刘娜
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了高精度预测甚低频电波场强随时间变化的方法,按照以下步骤:步骤1、结合IRI模型获取随高度变化的电离层电子密度Ne;步骤2、通过电离层电子密度Ne获得各个时刻指数模型电离层参考高度H和梯度系数β;步骤3、推导甚低频电磁波的电场分量Er;步骤4、通过各个时刻指数模型电离层参考高度H和梯度系数β求解电离层的复介电常数,获得电离层的反射系数和表面阻抗;步骤5、通过表面阻抗和的电场分量Er,获得不同时间段对应的甚低频电波的场强,既而可以精确预测甚低频电波场强随时间的变化情况。其基于IRI模型反演指数模型参数,得到随时间变化的电离层参考高度和梯度系数,在波导模理论的基础上,对甚低频电波场强随时间变化的传播特性进行分析预测。
搜索关键词: 高精度 预测 甚低频 电波 场强 随时 变化 方法
【主权项】:
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