[发明专利]一种离子辅助的多靶磁控溅射设备在审
| 申请号： | 202111504598.4 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114015997A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 唐云俊;王昱翔 | 申请（专利权）人： | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 王大国 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子辅助的多靶磁控溅射设备，包括上载腔体、输运腔体和工艺腔体，输运腔体内设置有机械手，所述工艺腔体内设置有晶圆台、至少一个离子源装置和至少两个磁控管装置，所述晶圆台位于下方，离子源装置和磁控管装置位于上方，且离子源装置与磁控管装置围绕晶圆台的中心均分布，所述离子源装置与磁控管均朝向晶圆台并与晶圆台呈角度倾斜布置，本发明能够在一个工艺腔体内装置多个靶材的离子辅助PVD溅射系统，无需多个工艺腔室，且无需多次的装夹，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 辅助 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江艾微普科技有限公司，未经浙江艾微普科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111504598.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
