[发明专利]基于类EIT效应的双模式一维光子晶体耦合结构传感器在审
| 申请号： | 202111500055.5 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114216503A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 田慧平;聂潼羽;韩哲;王超;苟子幸 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02;G01N21/41;G01K11/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本文涉及一种基于类EIT效应的双模式一维光子晶体耦合结构传感器设计，属于光子晶体传感器技术领域。本发明将两种具有不同模式的一维光子晶体结构进行耦合以实现光学环境下电磁感应透明(EIT)效应即类EIT效应，结合耦合结构的特殊波形进行更高性能的传感。具体而言，就是在二氧化硅基底上引入空气模式和介质模式的一维光子晶体结构，通过改变光子晶体的结构参数以及耦合结构的相关参数实现类EIT效应。和双参量传感器相比，本发明首次基于光子晶体耦合结构的类EIT效应产生的透明窗口进行传感，并首次基于磷酸缓冲盐溶液(PBS)环境进行折射率及温度传感。本发明可以用于PBS等溶液环境下的折射率传感和温度传感领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 eit 效应 双模 式一维 光子 晶体 耦合 结构 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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