[发明专利]一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置及其切割方法在审
| 申请号： | 202111493888.3 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114260590A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 杨森;胡彦飞;郭辉;张晨旭 | 申请（专利权）人： | 西安晟光硅研半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/146;B23K26/402;B23K26/70;B23K37/04;B23K26/08 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710003 陕西省西安市国家民用航天产业基*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置及其切割方法，属于半导体材料加工领域。其主要包括：固定模块，其用于对SiC晶锭进行固定，带动SiC晶锭以预定速度进行自旋转，以及带动SiC晶锭进行步进；以及切割模块，其用于对SiC晶锭进行切割；其中切割模块包括多功率微射流激光头，其用于通过功率大小不同的多个微射流激光，对不同切割阶段的SiC晶锭进行切割。本申请的有益效果是，利用多功率微射流激光头的功率大小不同的多个微射流激光，对不同切割阶段的所述SiC晶锭进行切割，能够保证切割效率的前提下，有效地提高SiC切割品质，降低损伤、提高出品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 功率 射流 激光 sic 切割 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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