[发明专利]一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111493069.9 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114182211A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 乔梁;张超;丁翔 申请(专利权)人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/08;C23C14/54
代理公司: 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 代理人: 李英
地址: 313000 浙江省湖州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于铁酸铋薄膜技术领域,公开了一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法,带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法包括:利用镍酸镧作为底电极材料,在四方相铁酸铋和铝酸镧之间引入底电极,制备复合膜。本发明通过引入较薄的镍酸镧层作为底电极,为超四方相铁酸铋的应用提供更多空间,而且不含环境污染型材料,贵金属,适于大规模使用。本发明以铝酸镧,采用镍酸镧作为底电极材料,实现了带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜的制备,制备过程简单,材料不太昂贵,效果较好。本发明采用镍酸镧作为铁电薄膜的底电极可以极大程度增强铁电薄膜器件的抗疲劳特性。
搜索关键词: 一种 有底 电极 四方 相铁酸铋 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
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