[发明专利]高熵合金浸渗连接CuW和CuCr材料的方法在审
| 申请号： | 202111493041.5 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114406267A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 杨晓红;孙骁勇;张宝察;梁淑华;邹军涛;肖鹏 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | B22F7/06 | 分类号： | B22F7/06;B22F3/02;B22F3/10;B22F3/26;C22C30/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 弓长 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了高熵合金浸渗连接CuW和CuCr材料的方法，将原料Fe、Cu、Cr、Zr加入混料机中进行混合后置于刚性模具中压制得到高熵合金坯体，然后自上而下依次按照CuW合金、高熵合金坯体、CuCr合金的顺序叠放置于石墨坩埚内，在烧结炉中依次进行固相烧结、液相连接，即得到CuW/CuCr复合材料。本发明通过引入四组元的高熵合金来实现异质材料CuW与CuCr之间的连接，改善Cu/W相界面的结合方式，并抑制界面处脆性金属间化合物相的形成，提高界面结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 连接 cuw cucr 材料 方法 | ||
【主权项】：
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