[发明专利]一种磁导率测量方法与装置有效
| 申请号： | 202111489571.2 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114217251B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈德智;吴鸿宇;刘开锋;李冬 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁导率测量方法与装置，属于电磁场和测量领域。方法包括：步骤1、理论计算磁力与磁导率之间的映射关系；步骤2、测量永磁体和待测材料之间的磁力；步骤3、基于磁力与磁导率之间的映射关系以及步骤2中测得的磁力，得到待测材料的磁导率。装置包括：无底中空腔体的装置限位器，磁力传感器设置在所述装置限位器内部顶端；所述永磁体设置在磁力传感器上；所述信号处理模块与所述磁力传感器电连接，用于接收磁力传感器测量到的永磁体与待测材料之间的磁力，并根据磁力与磁导率之间的映射关系得到待测材料的磁导率。本发明通过测量永磁体与待测材料之间的磁力以及磁力与磁导率之间的映射关系，测得待测材料的磁导率，且精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111489571.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
