[发明专利]一种减少曝光累积误差的方法在审
| 申请号： | 202111484872.6 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114185252A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 龚跃武;张晨艳;官盛果;杨山清;涂良成 | 申请（专利权）人： | 中山大学南昌研究院 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 330000 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种减少曝光累积误差的方法，包括如下步骤：(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度；(2)在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标(X1，Y1)与理论值坐标(X0，Y0)进行比对，并计算相应的差值(X1‑X0，Y1‑Y0)；(3)针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差。本发明通过在晶圆片的平边制备一个刻度用于多次曝光位置的调整，减少曝光制程多次累积误差；明显减少曝光制程累积误差，提升产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 曝光 累积 误差 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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