[发明专利]一种晶圆的切割方法有效
| 申请号： | 202111478198.0 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114226984B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘天建;田应超;曹瑞霞;刘淑娟 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室 |
| 主分类号： | B23K26/346 | 分类号： | B23K26/346;B23K26/38;B23K26/16;B23K26/70;B23K10/00;B23K101/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的横向宽度大于所述第二凹槽的横向宽度，所述第二凹槽的边缘上方形成有熔渣；进行等离子切割工艺沿所述第二凹槽的底面向下开槽，形成第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同贯穿所述晶圆并构成切割道，同时去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的边缘上方的熔渣。本发明有利于提高混合键合工艺的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
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