[发明专利]一种金刚石晶体的高结合力光学薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111476850.5 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN114318216A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 薄勇;申玉;袁磊;徐健;彭钦军;江南;易剑;袁其龙 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 陈超
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种金刚石晶体的高结合力光学薄膜及其制备方法,该金刚石晶体的高结合力光学薄膜的制备方法包括:将金刚石晶体置于真空腔室内,并使金刚石晶体的表面达到预设温度,预设温度为200℃~1000℃;在金刚石晶体的表面平铺硅层,形成膜系结构,在膜系结构中,硅层与金刚石晶体相接触的界面处形成碳化硅层;在膜系结构的表面上镀目标膜层,形成金刚石晶体的高结合力光学薄膜。本发明实施例提供的金刚石晶体的高结合力光学薄膜及其制备方法,可将膜系结合力由范德华力变为化学键结合力,提高膜系表面结合力,提高膜系稳定性、抗损伤能力,缓解易脱落的问题。
搜索关键词: 一种 金刚石 晶体 结合 光学薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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