[发明专利]一种基于磁控溅射的复合薄膜应变计及其制备方法在审
| 申请号： | 202111470222.6 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114322740A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 杨成韬;孙尚毅;徐康才 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;G01L1/22;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 郭美 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁控溅射的复合薄膜应变计，该复合薄膜应变计包括不锈钢基底、氧化铝绝缘层、镍铬合金薄膜应变层、环氧导电胶、氧化铝保护层和铜导线，本发明采用磁控溅射沉积薄膜，薄膜致密均匀，稳定性高，测量应变性能好，在低温环境中受外界环境影响小；本发明采用光刻掩膜版图形化应变栅方案，适用于在小尺寸部件及精度要求高的部件表面图形化应变栅，图形小精度高，操作流程简单；本发明应变层应变栅图形由四个相同的基本应变栅单元组成，任意一个横向和纵向成对可以与外部电路相接构成惠斯通电桥实现具备温度补偿作用的应力的测量，同时还可以实现对四个基本应变栅单元的电阻进行单独测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁控溅射 复合 薄膜 应变 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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