[发明专利]一种原子级厚度的铋氧基铁电薄膜及其制备工艺有效
| 申请号： | 202111456088.4 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114014648B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张林兴;杨倩倩;贺卓平;田建军 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 岳野 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明属于凝聚态物理、原子尺度铁电薄膜领域，涉及到一种原子级厚度的铋氧基铁电薄膜及其制备工艺。该铁电薄膜是以三层Bi‑O层为周期的铋氧基薄膜，结构为稳定的类四方相结构，其分子式为Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 原子 厚度 铋氧基铁电 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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